3D X-DRAM moet capaciteit geheugenchips op korte termijn drastisch verhogen

Het Amerikaanse NEO Semiconductor heeft een technologie ontwikkeld om het in drie dimensies vervaardigen van dram-geheugencellen goedkoper en vooral eenvoudiger te maken. Hiermee kan de dichtheid van cellen in geheugenchips op zeer korte termijn drastisch verhoogd worden.
Er wordt in de basis gebruik gemaakt van dezelfde processen als bij 3d-nandgeheugen en bovendien is aanpassing van apparatuur amper nodig. Gesproken wordt bijvoorbeeld over slechts één nieuw, extra masker voor tijdens het et…

Deze website gebruikt cookies (en andere technieken) om daarmee informatie over het gebruik van de website te verzamelen.