Samsung stapelt ook voor aankomende generatie NAND slechts twee keer

Ondanks de lage vraag naar ssd’s staat Samsung toch in de startblokken om aankomend jaar gebruik te maken van ‘double-stack’-architectuur in zijn 9de generatie 3d-nand geheugen. Samsung’s 9de generatie V-nand zou meer dan 300 lagen bevatten en dit zou bereikt worden door de ‘double-stack’-techniek, waarbij een enkele stapel 3d-nand op een wafer wordt gemaakt, waarna deze wordt samengevoegd met een tweede stapel. Samsung gebruikt deze techniek al sinds 2020 met de 7de generatie nand-chips die…

Deze website gebruikt cookies (en andere technieken) om daarmee informatie over het gebruik van de website te verzamelen.